大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查(chá)抖音总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳是什么歌，总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳ong>

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设抖音总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳是什么歌，总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。