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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(d抓一只啄木鸟犯法吗，杀死一只啄木鸟判几年ìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(s抓一只啄木鸟犯法吗，杀死一只啄木鸟判几年hì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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