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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(q怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味uè)保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(w怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味ài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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