大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

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　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。一里地等于多少米，一里地等于多少米千米>

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gō一里地等于多少米，一里地等于多少米千米ng)司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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