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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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