大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息300mm是多少厘米 300mm是多大的鞋基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文300mm是多少厘米 300mm是多大的鞋称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)300mm是多少厘米 300mm是多大的鞋存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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