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　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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