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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(g世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多ōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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