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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停15mm等于多少厘米 15mm等于多少微米止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办15mm等于多少厘米 15mm等于多少微米公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi15mm等于多少厘米 15mm等于多少微米)力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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