据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(f为什么球星都觉得梅西是最佳ǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(b为什么球星都觉得梅西是最佳ǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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