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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(姚笛为文章打过几次胎，文章和姚笛生孩子了嘛zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关(gu姚笛为文章打过几次胎，文章和姚笛生孩子了嘛ān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)姚笛为文章打过几次胎，文章和姚笛生孩子了嘛存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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