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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(j公务员职级并行后,正处几年可以晋升副厅级，公务员职级并行副处几年可以一级调研员ù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中公务员职级并行后,正处几年可以晋升副厅级，公务员职级并行副处几年可以一级调研员华(huá)人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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