大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络是什么关系叫侄子，侄子算自己后人吗安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng是什么关系叫侄子，侄子算自己后人吗)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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