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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2布洛芬一天最多吃几次，布洛芬一天最大剂量是多少022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生布洛芬一天最多吃几次，布洛芬一天最大剂量是多少(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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