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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)人死后尾七是什么意思，头三尾七是什么意思全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美人死后尾七是什么意思，头三尾七是什么意思光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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