大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(五月去北京穿什么衣服，五月份去北京穿什么衣服měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5五月去北京穿什么衣服，五月份去北京穿什么衣服.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NA五月去北京穿什么衣服，五月份去北京穿什么衣服ND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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