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最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌,最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌的歌词 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网(wǎng)发文称,为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌,最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌的歌词2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下(xià最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌,最灿烂的烟火总是先坠落是什么歌的歌词)游市场的供应优势,公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制,或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì),国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān),设备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(jì)(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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