大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎ劲仔深海小鱼是什么鱼做的，劲仔小鱼是海鱼还是淡水鱼o)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品劲仔深海小鱼是什么鱼做的，劲仔小鱼是海鱼还是淡水鱼strong>

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。