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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查(c朵朵野花什么微风在田野里什么 朵朵野花迎着微风在田野里翩翩起舞是拟人句吗0000; line-height: 24px;'>朵朵野花什么微风在田野里什么 朵朵野花迎着微风在田野里翩翩起舞是拟人句吗há)办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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