大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(g苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字ōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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