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手机话费交了能退吗

手机话费交了能退吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审手机话费交了能退吗查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查,目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán),是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全风(fēng)险,维护国家(jiā)安(ān)全(quán),依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头,也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

<手机话费交了能退吗p>  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì),公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)手机话费交了能退吗>

  分析(xī)称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù),薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75%。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入(rù)增长。

 

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