大家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(sh拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？ōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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