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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品<关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗/p>

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗>存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tu关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗ò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。