大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，a5a6b5b6纸尺寸对比，a5b6纸多大>美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息a5a6b5b6纸尺寸对比，a5b6纸多大基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 a5a6b5b6纸尺寸对比，a5b6纸多大