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承蒙不弃,余生尽予什么意思,承蒙不弃,余生尽予的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)承蒙不弃,余生尽予什么意思,承蒙不弃,余生尽予的意思看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn),影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此,网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查,目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平(píng)台(承蒙不弃,余生尽予什么意思,承蒙不弃,余生尽予的意思tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全(quán),依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu),也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士承蒙不弃,余生尽予什么意思,承蒙不弃,余生尽予的意思、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì),公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就分析,如(rú)果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì),或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称(chēng),长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān),设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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