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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家1页是一面还是两面啊，1页是一张还是一面(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(ló1页是一面还是两面啊，1页是一张还是一面ng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(c1页是一面还是两面啊，1页是一张还是一面hí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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