大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)没事就吃溜溜梅什么意思，你没事吧没事就吃溜溜梅什么意思广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，没事就吃溜溜梅什么意思，你没事吧没事就吃溜溜梅什么意思ng>国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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