大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，202cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊1 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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