大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前(q一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元ián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shē一亿等于10的几次方万，一亿等于10的几次方元ng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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