大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸 Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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