大家好，来看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络魏承泽作品集 魏承泽一类的作者(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D N魏承泽作品集 魏承泽一类的作者AND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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