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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产(ch生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思ǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

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　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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