大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu自嘲丁元英是谁写的，卜算子《自嘲》全诗)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)自嘲丁元英是谁写的，卜算子《自嘲》全诗国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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