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青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么

青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则突发消息。

  青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么trong>美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审查,目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国(guó)出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全,防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》,对(duì)美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购!

  美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

  公告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确(què)保存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美(měi)光在中国区销售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

  分(fēn)析(xī)称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游青金石的五行属性,青金石的五行属性是什么设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù),薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单,设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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