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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受x;'>走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网走后门是一种怎样的体验知乎，走后门是什么感受络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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