大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共自家养一只人工苏卡达违法吗，养了10年的苏卡达算犯法吗和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiā自家养一只人工苏卡达违法吗，养了10年的苏卡达算犯法吗ng)波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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