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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān频繁梦见一个人是缘尽吗，频繁梦见一个人是不是缘尽)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(频繁梦见一个人是缘尽吗，频繁梦见一个人是不是缘尽liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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