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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.51cc的水等于多少克，1cc水是多少克2％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设(s1cc的水等于多少克，1cc水是多少克hè)备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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