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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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