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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(y学跆拳道考级国家认可吗知乎，学跆拳道考级国家认可吗女生ī)大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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