大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产化女生拉黑就是极度讨厌吗，拉黑多久不联系就是彻底结束进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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