大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全反骨是什么意思 反骨是叛逆的意思吗，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安反骨是什么意思 反骨是叛逆的意思吗全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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