大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科夂叫什么部首怎么读，夂叫什么部首拼音技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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