大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过(gu爱屋及乌是什么意思解释，爱屋及乌是什么意思英语ò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(爱屋及乌是什么意思解释，爱屋及乌是什么意思英语hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，爱屋及乌是什么意思解释，爱屋及乌是什么意思英语国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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