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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guā军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我ng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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