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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商(拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等拐点和驻点的区别是什么意思，拐点和驻点的关系收入增长。

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