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小黄人名字分别叫什么

小黄人名字分别叫什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看(kàn)一则(zé)突发消息。

  美(měi)光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光(g小黄人名字分别叫什么uāng小黄人名字分别叫什么)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全(quán)风险,影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ),网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全,是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放,只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称,为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(I小黄人名字分别叫什么HS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng),采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势,公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制(zhì),或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75%。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单,设(shè)备国产化(huà)进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng),以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入(rù)增长。

 

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