大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

1亿等于多少万　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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