大家好，来(lái)看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依上尉是什么级别，上尉是连长还是营长法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的上尉是什么级别，上尉是连长还是营长是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōn上尉是什么级别，上尉是连长还是营长g)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 上尉是什么级别，上尉是连长还是营长