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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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